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    一種藍色發光螢光體，其為以Eu使以Sr3MgSi2O8之組成式表示之矽酸鹽賦活之藍色發光螢光體，且其為將Mg之含量設為1莫耳時，Eu含有0.001~0.2莫耳之範圍之量、並且進而含有0.0001~0.03莫耳範圍之量的由Sc、Y、Gd、Tb及La所組成群組中選出之稀土類金屬元素之藍色發光螢光體，其以波長350~430nm之光激發時之發光強度會提高。
    公开号:TW201302985A
    申请号:TW101106550
    申请日:2012-02-29
    公开日:2013-01-16
    发明作者:福田晃一；天谷仁；野口誠司；稻垣徹；田中真樹
    申请人:宇部材料股份有限公司；
    IPC主号:H01L33-00
    专利说明:
    藍色發光螢光體及使用該藍色發光螢光體之發光裝置
    本發明係有關以Eu使以Sr3MgSi2O8之組成式表示之矽酸鹽賦活之藍色發光螢光體。本發明亦有關於藍光發光源中使用該藍色發光螢光體之發光裝置。
    已知有以二價Eu使以Sr3MgSi2O8之組成式表示之矽酸鹽賦活之藍色發光螢光體(以下亦稱為SMS藍色發光螢光體)。
    於專利文獻1中，SMS藍色發光螢光體係以3(Sr1-p．Eup)O．1MgO．2SiO2之組成式表示。該文獻中，記載SMS藍色發光螢光體以253.7nm之波長的光源激發時會產生藍色光。
    專利文獻2中，記載以下述式表示之螢光體。
    3(M1 1-xEux)O．mM2O．nM3O2
    (但，式中之M1為自Ca、Sr及Ba所組成之群選出之1種以上之元素，M2為Mg及/或Zn，M3為Si及/或Ge，m之值為0.9以上1.1以下之範圍，n值為1.8以上2.2以下之範圍，且x之值為0.00016以上且未達0.003之範圍)。
    上述式亦包含SMS藍色發光螢光體。但，專利文獻2中具體記載之螢光體為包含Ba及Sr、Ba及Ca、Sr及Ca、Ba及Sr及Ca之螢光體。
    且，專利文獻2中，主要記載有上述螢光體亦可含有Al、Sc、Y、La、Gd、Ce、Pr、Nd、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Bi及Mn等之金屬元素，該等元素之含量相對於螢光體總重量為100ppm以上50000ppm以下時，有顯示更高發光強度之情況。但專利文獻2中具體記載之稀土類金屬之添加元素僅有Y。含有Y之螢光體的化學式為(Ba0.495Sr2.5Eu0.005)MgSiO2O8(Y1800ppm)。
    再者，專利文獻2中，記載使用上述螢光體作為電子束激發發光元件、紫外線激發發光元件、真空紫外線激發發光元件、白色LED等之藍色發光源。但，專利文獻2中記載的發明係基於藉由使用上述螢光體，將含有螢光體及有機物作為主成分的螢光體糊膏(paste)塗佈於基板上之後，於例如300℃~600℃之溫度範圍進行熱處理之方法所獲得之螢光體層之發光強度可獲得提高之見解所完成之發明。專利文獻2中，作為以熱處理螢光糊膏之方法形成螢光體層之發光元件，記載有電漿顯示器面板、場發射顯示器、高附加螢光燈。而且，於實施例中螢光體之發光強度之測定中使用之激發光，為與電漿顯示器面板所使用之利用Xe氣體之放電所發生之真空紫外光相同波長之146nm的真空紫外光。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    專利文獻1：特公昭48-37715號公報
    專利文獻2：特開2006-312654號公報
    白色LED一般為將藉由通電發出波長350~430nm之光(紫外光~紫色光)之半導體發光元件與以該半導體發光元件發出之光激發而產生可見光之螢光體予以組合而得之發光裝置，螢光體係使用藍色發光螢光體、綠色發光螢光體及紅色發光螢光體，將分別自該等螢光體發出之藍色光、綠色光及紅色光之三色光予以混色而獲得白色光。因此，白色LED所用之SMS藍色發光螢光體被要求以波長350~430nm之光激發時顯示高的發光強度。然而，於專利文獻1中雖記載SMS藍色發光螢光體，但並無有關SMS藍色發光螢光體係藉由波長350~430nm之光激發之記載。於專利文獻2中，關於SMS藍色發光螢光體並無具體記載。
    因此，本發明之目的，係提供尤其可使用作為白色LED用之SMS藍色發光螢光體，亦即以波長350~430nm之光激發時顯示高的發光強度之SMS藍色發光螢光體，以及提供使用該SMS藍色發光螢光體作為藍色光之光源之發光裝置。
    本發明人發現，於以Eu使以Sr3MgSi2O8之組成式表示之矽酸鹽賦活之藍色發光螢光體中，藉由使每1莫耳螢光體之Eu含量，亦即將Mg之含量設為1莫耳時之Eu含量設為0.001~0.2莫耳範圍、進而於SMS藍色發光螢光體中，添加特定量之由Sc、Y、Gd、Tb及La所組成群組選出之稀土類金屬元素，於以波長350~430nm之光激發時顯示高的發光強度，因而完成本發明。
    因此，本發明係一種藍色發光螢光體，其係以Eu使以Sr3MgSi2O8之組成式表示之矽酸鹽賦活之藍色發光螢光體，其特徵為將Mg之含量設為1莫耳時，Eu含有0.001~0.2莫耳範圍之量、進而含有0.0001~0.03莫耳範圍之量的由Sc、Y、Gd、Tb及La所組成群組選出之稀土類金屬元素，且係以波長350~430nm之光激發所用之藍色發光螢光體。
    本發明之藍色發光螢光體之較佳樣態如下。
    (1)將Mg之含量設為1莫耳時之Eu含量在0.01~0.2莫耳範圍之量。
    (2)將Mg之含量設為1莫耳時之Eu含量在0.01~0.15莫耳範圍之量。
    (3)Eu之含量相對於上述稀土類金屬元素之含量以莫耳比計為1以上。
    (4)將Mg之含量設為1莫耳時之上述稀土類金屬元素之含量在0.0005~0.02莫耳範圍之量。
    本發明亦有關包含上述本發明之藍色發光螢光體及利用通電發出波長350~430nm之光的半導體發光元件之發光裝置。
    本發明亦進而有關一種發光裝置，其係包含上述本發明之藍色發光螢光體、以波長350~430nm之光激發時發出綠色光之綠色發光螢光體、以波長350~430nm之光激發時發出紅色光之紅色發光螢光體、以及利用通電發出波長350~430nm之光的半導體發光元件。
    本發明之SMS藍色發光螢光體由於以波長350~430nm之光激發時顯示高的發光強度，故有用作為於使用波長350~430nm之光作為激發光源之發光裝置(例如白色LED)中之藍色發光源。
    本發明之SMS藍色發光螢光體含有以Sr3MgSi2O8之組成式表示之矽酸鹽為主成分，為賦活成分的Eu、及自Sc、Y、Gd、Tb及La所組成群組選出之稀土類金屬元素。
    Eu主要係以二價狀態取代Sr3MgSi2O8之Sr位置。Eu之含量，將Mg之含量設為1莫耳時的量，一般為0.001~0.2莫耳之範圍，較好為0.01~0.2莫耳之範圍，更好為0.01~0.15莫耳之範圍，最好為0.02~0.10莫耳之範圍。Eu之含量相對於上述稀土類金屬之含量以莫耳比(Eu/稀土類金屬元素)計一般為1以上，較好為1~300之範圍，最好為2~100之範圍。
    上述稀土類金屬元素主要含於SMS藍色發光螢光體之結晶內。但，稀土類金屬元素可取代於Sr3MgSi2O8之Sr位置、Mg位置、Si位置之任一者。稀土類金屬元素之含量，於將Mg之含量設為1莫耳時之量，一般為0.0001~0.03莫耳之範圍，較好為0.0005~0.02莫耳之範圍，最好為0.0008~0.02莫耳之範圍。稀土類金屬元素可單獨含有一種，亦可組合兩種以上而含有。
    本發明之SMS藍色發光螢光體亦可含有Ba或Ca。但Ba之含量於將Mg之含量設為1莫耳時一般為0.4莫耳以下，較好為0.2莫耳以下，更好為0.08莫耳以下，最好為0.01莫耳以下。Ca之含量一般為0.08莫耳以下，較好為0.01莫耳以下。
    本發明之SMS藍色發光螢光體，亦可在氟化銨存在下經加熱處理，且以氟化銨氣體或其分解氣體處理其表面。在氟化銨存在下經加熱處理之SMS藍色發光螢光體有不易引起在大氣環境下加熱處理後之發光特性(發光強度)降低且耐濕性獲得提高、不易引起因與水分接觸所致之發光特性降低之傾向。在氟化銨存在下之加熱處理可藉由使含SMS藍色發光螢光體與氟化銨粉末之混合物加熱而進行。SMS藍色發光螢光體與氟化銨粉末之混合比例，為相對於螢光體100質量份，氟化銨粉末之量一般成為於0.1~15質量份之範圍之量，較好成為1~10質量份之範圍的量之比例。混合物之加熱溫度一般在200~600℃之範圍，較好為300~600℃之範圍，最好為300~500℃之範圍。加熱時間一般在1~5小時之範圍。混合物之加熱較好在大氣環境下、氮氣環境下、氬氣環境下之任一環境下進行，最好在大氣環境下進行。混合物之加熱較好以將混合物置入坩堝等之耐熱性容器中，蓋住耐熱性容器之狀態進行。
    本發明之SMS藍色發光螢光體可藉由使Sr源粉末、Mg源粉末、Si源粉末、Eu源粉末及稀土類金屬元素源粉末混合，將所得原料粉末混合物予以燒成而製造。Sr源粉末、Mg源粉末、Si源粉末、Eu源粉末及稀土類金屬元素源粉末之各粉末分別可為氧化物粉末，亦可為氫氧化物、鹵化物、碳酸鹽(包含鹼性碳酸鹽)、硝酸鹽、草酸鹽等之可藉由加熱產生氧化物之化合物的粉末。原料粉末分別可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。各原料粉末較好純度為99質量%以上。
    Sr源粉末、Mg源粉末、Si源粉末、Eu源粉末及稀土類金屬元素源粉末之調配比，係原料粉末混合物中之Sr、Mg、Si、Eu及稀土類金屬元素之含量，於將Mg量設為1莫耳時，一般為Sr與Eu及稀土類金屬元素之合計在2.9~3.1莫耳之範圍的量，且Si成為1.9~2.1莫耳之範圍的量，再者Eu成為0.001~0.2莫耳之範圍的量，且稀土類金屬元素成為0.0001~0.03莫耳之範圍的量之比例。
    於原料粉末混合物中，亦可添加助熔劑。助熔劑較好為鹵化物，最好為氯化合物。作為助熔劑之原料粉末之一部分較好使用氯化合物粉末。最好使用鍶之氯化合物粉末。助熔劑之添加量，較好為以粉末混合物中之鍶與銪之合計量作為3莫耳，鹵素量成為0.0001~0.5莫耳範圍之量，最好成為0.02~0.5莫耳範圍之量。
    原料粉末之混合方法，可採用乾式混合法及濕式混合法之任一種方法。以濕式混合法混合原料粉末時，可使用旋轉球研磨、振動球研磨、行星研磨、塗料搖擺機、擺式研磨機、擺式混合機、珠粒研磨機、攪拌機等。溶劑可使用水或乙醇、異丙醇等之低級醇。
    原料粉末混合物之燒成，較好在由0.5~5.0體積%之氫與99.5~95.0體積%之惰性氣體所成之還原性氣體之環境下進行。至於惰性氣體之例可舉例有氬及氮。燒成溫度一般在900~1300℃之範圍。燒成時間一般在0.5~100小時之範圍。
    於原料粉末係利用加熱生成氧化物之化合物粉末時，較好在還原性氣體環境下燒成之前，使粉末混合物在大氣環境下，於600~850℃之溫度暫時燒成0.5~100小時。藉由燒成所得之SMS藍色發光螢光體亦可依據需要進行分級處理、以鹽酸或硝酸等之無機酸之酸洗淨處理、烘烤處理。
    其次，針對使用本發明之SMS藍色發光螢光體之發光裝置參考附圖之圖1加以說明。
    圖1為使用本發明之SMS藍色發光螢光體之白色LED之一例的剖面圖。圖1中，白色LED係由基板1、於基板1上利用接著材2固定之半導體發光元件3、形成於基板1上之一對電極4a,4b、使半導體發光元件3與電極4a,4b電性聯接之導線5a,5b、被覆半導體發光元件3之樹脂層6、設於樹脂層6上之螢光體層7、以及覆蓋樹脂層6及螢光體層7周圍之光反射材8、以及用以使電極4a,4b與外部電極(未圖示)電性連接之導電線9a,9b所構成。
    基板1較好具有高絕緣性及高導熱性。至於基板1之例，可舉例有自氧化鋁或氮化鋁等之陶瓷所形成之基板及自分散有金屬氧化物或玻璃等之無機物粒子之樹脂材料所形成之基板。半導體發光元件3較好為利用施加電能而發出波長350~430nm之光者。至於半導體發光元件3之例，可舉例有AlGaN系半導體發光元件。樹脂層6係由透明樹脂所形成。至於形成樹脂層6之透明樹脂之例，可舉例環氧樹脂及矽氧樹脂。
    螢光體層7係由將SMS藍色發光螢光體、綠色發光螢光體及紅色發光螢光體分散於玻璃或環氧樹脂或矽氧樹脂等之透明樹脂中所成之混合物所形成。分散於螢光體層7中之綠色發光螢光體之例，舉例有(Ca,Sr,Ba)2SiO4：Eu2+、BaMgAl18O17：Eu2+、Mn2+、α-SiAlON：Eu2+、β-SiAlON：Eu2+、ZnS：Cu、Al。至於紅色發光螢光體之例，可舉例有Y2O2S：Eu2+、La2O3S：Eu2+、(Ca,Sr,Ba)2Si5N8：Eu2+、CaAlSiN3：Eu2+、Eu2W2O3、(Ca,Sr,Ba)2Si5N8：Eu2+、Mn2+、CaTiO3：Pr3+、Bi3+、(La,Eu)2W3O12。光反射材8可藉由將於螢光體層7產生之可見光朝向外部反射而提高可見光之發光效率。光反射材8之形成材料之例，可舉例分散有Al、Ni、Fe、Cr、Ti、Cu、Rh、Ag、Au、Pt等之金屬；氧化鋁；氧化鋯；氧化鈦；氧化鎂；氧化鋅；碳酸鈣等之白色金屬化合物；以及白色顏料之樹脂材料。
    圖1之白色LED中，若透過導電線9a,9b對電極4a,4b施加電壓，則半導體發光元件3發光，而產生於波長350~430nm之範圍內具有峰值之發出之光，藉由該發出之光激發螢光體層7中之各色螢光體，而發生藍色、綠色及紅色之可見光。接著，藉由使該等藍色光、綠色光及紅色光混色而產生白色光。
    白色LED可例如由下述的方式製造。於基板1上以特定圖案形成電極4a,4b。接著，以接著材2將半導體發光元件3固定於基板1上之後，藉由打線接合等方法，形成使半導體發光元件3及電極4a,4b電性連接之導線5a,5b。其次，將光反射材8固定於半導體發光元件3周圍後，將透明樹脂材料流入至半導體發光元件3上，使該透明樹脂材料硬化形成樹脂層6。接著，於樹脂層6上流入含有螢光體之樹脂組成物，使該含有螢光體之樹脂組成物固化，形成螢光體層7。 實施例 [實施例1]
    將碳酸鍶(SrCO3)粉末(純度：99.7質量%，以雷射繞射散射法測定之平均粒徑：0.9μm)、氯化鍶六水合物(SrCl2．H2O)粉末(純度：99質量%)、氧化銪(Eu2O3)粉末(純度：99.9質量%，以雷射繞射散射法測定之平均粒徑：2.7μm)、氧化鈧(Sc2O3)粉末(純度：99.9質量%)、氧化鎂(MgO)粉末(利用氣相法製造者，純度：99.98質量%，由BET比表面積換算之粒徑：0.2μm)、二氧化矽(SiO2)粉末(純度：99.9質量%，由BET比表面積換算之粒徑：0.01μm)，以SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Sc2O3：MgO：SiO2之莫耳比計成為2.804：0.125：0.035：0.0005：1：2.000之方式分別予以秤量。將秤量之各原料粉末於水中利用球研磨機濕式混合15小時，獲得原料粉末混合物之漿料。所得漿料以噴霧乾燥機進行噴霧乾燥，獲得平均粒徑為40μm之原料粉末混合物。所得原料粉末混合物置入氧化鋁坩堝中，在大氣環境下以800℃之溫度燒成3小時，接著，放冷至室溫後，於2體積%氫-98體積%氬之混合氣體環境下，於1200℃之溫度燒成3小時，製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由下述方法測定之發光強度。且，組成式係由原料粉末之調配比求得者，每1莫耳螢光體之Eu含量設為x，自Sc、Y、Gd、Tb及La所成組群選出之稀土類金屬元素設為Ln，每1莫耳螢光體之Ln含量設為y時，以通式Sr3-x-yEuxLnyMgSi2O8表示。 [發光強度之測定方法]
    使用氙氣燈對SMS藍色發光螢光體照射波長400nm之紫外光，測定發光光譜，求得所得發光光譜之400~500nm之波長範圍中之最大峰值強度，將其作為發光強度。發光強度係以於後述比較例1所製造之SMS藍色發光螢光體之發光強度設為100時之相對值。 [實施例2]
    除使用氧化釔(Y2O3)粉末(純度：99.9質量%)代替氧化鈧粉末，使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Y2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.804：0.125：0.035：0.0005：1：2.000以外，與實施例1同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [實施例3]
    除了使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Y2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.802：0.125：0.035：0.0015：1：2.000以外，與實施例2同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [實施例4]
    除了使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Y2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.800：0.125：0.035：0.0025：1：2.000以外，與實施例2同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [實施例5]
    除使用氧化釓(Gd2O3)粉末(純度：99.9質量%)代替氧化鈧粉末，使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Gd2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.804：0.125：0.035：0.0005：1：2.000以外，與實施例1同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [實施例6]
    除了使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Gd2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.802：0.125：0.035：0.0015：1：2.000以外，與實施例5同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [實施例7]
    除使用氧化鋱(Tb2O3)粉末(純度：99.9質量%)代替氧化鈧粉末，使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Tb2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.804：0.125：0.035：0.0005：1：2.000以外，與實施例1同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [實施例8]
    除了使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Tb2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.800：0.125：0.035：0.0025：1：2.000以外，與實施例7同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [實施例9]
    除了使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：Tb2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.795：0.125：0.035：0.0050：1：2.000以外，與實施例7同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [實施例10]
    除使用氧化鑭(La2O3)粉末(純度：99.9質量%)代替氧化鈧粉末，使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：La2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.800：0.125：0.035：0.0025：1：2.000以外，與實施例1同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。 [比較例1]
    除不使氧化鈧粉末，使SrCO3：SrCl2．6H2O：Eu2O3：MgO：SiO2之混合量以莫耳比計成為2.805：0.125：0.035：1：2.000以外，與實施例1同樣地製造SMS藍色發光螢光體。表1中顯示所得SMS藍色發光螢光體之組成式及由前述方法測定之發光強度。
    如由表1之結果所明瞭，以本發明之範圍來含有Sc、Y、Gd、Tb及La之SMS藍色發光螢光體(實施例1~10)，相較於不含該等稀土類金屬元素之SMS藍色發光螢光體(比較例1)，以波長400nm之紫外光激發時之發光強度較高。 [實施例11] (1)在氟化銨存在下之加熱處理
    對於實施例4製造之SMS藍色發光螢光體100質量份添加氟化銨5質量份並混合，獲得粉末混合物。將所得粉末混合物置入氧化鋁坩堝中，蓋住氧化鋁坩堝，在大氣環境下於500℃之溫度加熱6小時後，放冷至室溫。針對放冷後之SMS藍色發光螢光體，以上述方法測定利用波長400nm之紫外光激發之發光強度。其結果，作為在高溫高濕環境下靜置前之發光強度係顯示於下表2。又，針對放冷後之SMS藍色發光螢光體，切斷螢光體，使用TEM(穿透型電子顯微鏡)觀察螢光體之表層部分之剖面後，確認到螢光體表面形成有被覆層。 (2)在高溫高濕環境下靜置後之發光強度測定(耐濕性評價)
    於上述(1)所得之在氟化銨存在下之加熱處理後之SMS藍色發光螢光體，在調整至溫度60℃、相對濕度90%之高溫高濕槽內靜置720小時。針對靜置後之矽酸鹽藍色發光螢光體，以上述方法測定利用波長400nm之紫外光激發之發光強度。其結果示於下表2。 [實施例12]
    將實施例4製造之SMS藍色發光螢光體，在調整至溫度60℃、相對濕度90%之高溫高濕槽內靜置720小時。針對靜置後之矽酸鹽藍色發光螢光體，以上述方法測定利用波長400nm之紫外光激發之發光強度。其結果與高溫高濕環境下靜置前之發光強度一起示於下表2。 [比較例2]
    將比較例1製造之SMS藍色發光螢光體，在調整至溫度60℃、相對濕度90%之高溫高濕槽內靜置720小時。針對靜置後之矽酸鹽藍色發光螢光體，以上述方法測定利用波長400nm之紫外光激發之發光強度。其結果與高溫高濕環境下靜置前之發光強度一起示於下表2。
    如由上述表2之結果可明瞭，本發明之SMS藍色發光螢光體(實施例12)相較於不含稀土類金屬之SMS藍色發光螢光體(比較例2)，在高溫高濕環境下靜置後之發光強度高。尤其，在氟化銨存在下加熱處理之SMS藍色發光螢光體(實施例11)在高溫高濕環境下靜置後之發光強度增高。
    1‧‧‧基板
    2‧‧‧接著材
    3‧‧‧半導體發光元件
    4a,4b‧‧‧電極
    5a,5b‧‧‧導線
    6‧‧‧樹脂層
    7‧‧‧螢光體層
    8‧‧‧光反射材
    9a,9b‧‧‧導電線
    圖1為依據本發明之發光裝置的一例的剖面圖。
    权利要求:
    Claims (7)
    [1] 一種藍色發光螢光體，其為以Eu使以Sr3MgSi2O8之組成式表示之矽酸鹽賦活之藍色發光螢光體，其特徵為將Mg之含量設為1莫耳時，含有0.001~0.2莫耳範圍之量之Eu、且進而含有0.0001~0.03莫耳範圍之量之由Sc、Y、Gd、Tb及La所組成群組選出之稀土類金屬元素，該螢光體係用以藉波長350~430nm之光激發。
    [2] 如申請專利範圍第1項之藍色發光螢光體，其中將Mg之含量設為1莫耳時，Eu之含量為0.01~0.2莫耳範圍之量。
    [3] 如申請專利範圍第1項之藍色發光螢光體，其中將Mg之含量設為1莫耳時，Eu之含量為0.01~0.15莫耳範圍之量。
    [4] 如申請專利範圍第1項之藍色發光螢光體，其中Eu之含量相對於上述稀土類金屬元素之含量以莫耳比計為1以上。
    [5] 如申請專利範圍第1項之藍色發光螢光體，其中將Mg之含量設為1莫耳時，上述稀土類金屬元素之含量為0.0005~0.02莫耳範圍之量。
    [6] 一種發光裝置，其含有如申請專利範圍第1至5項中任一項之藍色發光螢光體，及藉由通電而發出波長350~430nm之光之半導體發光元件。
    [7] 一種發光裝置，其含有如申請專利範圍第1至5項中任一項之藍色發光螢光體、以波長350~430nm之光激發時會發出綠色光之綠色發光螢光體、以波長350~430nm之光激發時會發出紅色光之紅色發光螢光體、以及藉由通電而發出波長350~430nm之光之半導體發光元件。
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US20190067530A1|2019-02-28|
    US20160211424A1|2016-07-21|
    JPWO2012117954A1|2014-07-07|
    TWI595076B|2017-08-11|
    WO2012117954A1|2012-09-07|
    JP5971620B2|2016-08-17|
    KR20140016909A|2014-02-10|
    US20140151732A1|2014-06-05|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
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    法律状态:
    2021-05-11| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011042280||2011-02-28||
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